#HY5DU561622FTP-D43 HYNIX HY5DU561622FTP-D43 ใหม่ DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 นิ้ว, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66, HY5DU561622FTP-D43 รูปภาพ, HY5DU561622FTP43-D5 ราคา ผู้ผลิต #HY
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: HY5DU561622FTP-D43
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ล้าสมัย
Ihs ผู้ผลิต: SK HYNIX INC
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: TSOP2
คำอธิบายแพ็คเกจ: TSOP2, TSSOP66,.46
จำนวนพิน: 66
รหัส ECCN: EAR99
รหัส HTS: 8542.32.00.24
ผู้ผลิต: SK Hynix Inc
อันดับความเสี่ยง: 5.79
โหมดการเข้าถึง: FOUR BANK PAGE BURST
เข้าถึงเวลาสูงสุด: 0.7 ns
คุณสมบัติเพิ่มเติม: AUTO/SELF REFRESH
ความถี่สัญญาณนาฬิกา-สูงสุด (fCLK): 200 MHz
ประเภท I / O: ทั่วไป
ความยาวระเบิดแบบสลับ: 2,4,8
JESD-30 รหัส: R-PDSO-G66
รหัส JESD-609: e6
ความยาว: 22.225 mm
ความหนาแน่นของหน่วยความจำ: 268435456 บิต
หน่วยความจำ IC ประเภท: DDR DRAM
ความกว้างของหน่วยความจำ: 16
จำนวนฟังก์ชัน: 1
จำนวนพอร์ต: 1
จำนวนขั้ว: 66
จำนวนคำ: 16777216 คำ
จำนวนคำรหัส: 16000000
โหมดการทำงาน: ซิงโครนัส
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 70 ° C
องค์กร: 16MX16
ลักษณะการส่งออก: 3-STATE
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: พลาสติก / EPOXY
รหัสแพ็คเกจ: TSOP2
รหัสเทียบเท่าแพ็คเกจ: TSSOP66,.46
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบบรรจุภัณฑ์: โครงร่างเล็ก, โปรไฟล์บาง
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): 260
แหล่งจ่ายไฟ: 2.6 V.
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
รอบการรีเฟรช: 8192
ความสูง - สูงสุด: 1.194 มม
ความยาวต่อเนื่องตามลำดับ: 2,4,8
กระแสไฟสแตนด์บาย - สูงสุด: 0.01 A
ประเภทย่อย: DRAMs
อุปทานในปัจจุบัน - สูงสุด: 0.23 mA
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด (Vsup): 2.7 V.
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- ต่ำสุด (Vsup): 2.4 V
การจ่ายแรงดัน - Nom (Vsup): 2.6 V
Surface Mount: ใช่
เทคโนโลยี: ซีมอส
เกรดอุณหภูมิ: เชิงพาณิชย์
เสร็จสิ้นเทอร์มินัล: TIN BISMUTH
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: GULL WING
Terminal Pitch: 0.65 มม
ตำแหน่งเทอร์มินัล: DUAL
เวลา
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 นิ้ว, 0.65 MM PITCH, เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS, TSOP2-66
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ล้าสมัย
Ihs ผู้ผลิต: SK HYNIX INC
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: TSOP2
คำอธิบายแพ็คเกจ: TSOP2, TSSOP66,.46
จำนวนพิน: 66
รหัส ECCN: EAR99
รหัส HTS: 8542.32.00.24
ผู้ผลิต: SK Hynix Inc
อันดับความเสี่ยง: 5.79
โหมดการเข้าถึง: FOUR BANK PAGE BURST
เข้าถึงเวลาสูงสุด: 0.7 ns
คุณสมบัติเพิ่มเติม: AUTO/SELF REFRESH
ความถี่สัญญาณนาฬิกา-สูงสุด (fCLK): 200 MHz
ประเภท I / O: ทั่วไป
ความยาวระเบิดแบบสลับ: 2,4,8
JESD-30 รหัส: R-PDSO-G66
รหัส JESD-609: e6
ความยาว: 22.225 mm
ความหนาแน่นของหน่วยความจำ: 268435456 บิต
หน่วยความจำ IC ประเภท: DDR DRAM
ความกว้างของหน่วยความจำ: 16
จำนวนฟังก์ชัน: 1
จำนวนพอร์ต: 1
จำนวนขั้ว: 66
จำนวนคำ: 16777216 คำ
จำนวนคำรหัส: 16000000
โหมดการทำงาน: ซิงโครนัส
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 70 ° C
องค์กร: 16MX16
ลักษณะการส่งออก: 3-STATE
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: พลาสติก / EPOXY
รหัสแพ็คเกจ: TSOP2
รหัสเทียบเท่าแพ็คเกจ: TSSOP66,.46
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบบรรจุภัณฑ์: โครงร่างเล็ก, โปรไฟล์บาง
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): 260
แหล่งจ่ายไฟ: 2.6 V.
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
รอบการรีเฟรช: 8192
ความสูง - สูงสุด: 1.194 มม
ความยาวต่อเนื่องตามลำดับ: 2,4,8
กระแสไฟสแตนด์บาย - สูงสุด: 0.01 A
ประเภทย่อย: DRAMs
อุปทานในปัจจุบัน - สูงสุด: 0.23 mA
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด (Vsup): 2.7 V.
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- ต่ำสุด (Vsup): 2.4 V
การจ่ายแรงดัน - Nom (Vsup): 2.6 V
Surface Mount: ใช่
เทคโนโลยี: ซีมอส
เกรดอุณหภูมิ: เชิงพาณิชย์
เสร็จสิ้นเทอร์มินัล: TIN BISMUTH
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: GULL WING
Terminal Pitch: 0.65 มม
ตำแหน่งเทอร์มินัล: DUAL
เวลา
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 นิ้ว, 0.65 MM PITCH, เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS, TSOP2-66