#HY5DU561622FTP-D43 HYNIX HY5DU561622FTP-D43 Hình ảnh DDR DRAM mới, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66, HY5DU561622FTP-D43, HY5DU561622FTP-D43 giá nhà cung cấp HY5TP-D561622FTP-D43 giá nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: HY5DU561622FTP-D43
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: SK HYNIX INC
Mã phần gói: TSOP2
Mô tả gói: TSOP2, TSSOP66, .46
Số lượng pin: 66
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.24
Nhà sản xuất: SK Hynix Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.79
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 0.7 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 200 MHz
Loại I / O: COMMON
Chiều dài Burst xen kẽ: 2,4,8
Mã JESD-30: R-PDSO-G66
Mã JESD-609: e6
Chiều dài: 22.225 mm
Mật độ bộ nhớ: 268435456 bit
Bộ nhớ IC Loại: DDR DRAM
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 66
Số từ: 16777216 từ
Mã số từ: 16000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 16MX16
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: TSOP2
Mã tương đương gói: TSSOP66, .46
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ NGOÀI, TIỂU SỬ NHỎ
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Nguồn cung cấp: 2.6 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Làm mới chu kỳ: 8192
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1.194 mm
Độ dài Burst tuần tự: 2,4,8
Dòng chờ-Tối đa: 0.01 A
Danh mục con: DRAMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.23 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2.7 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 2.4 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.6 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc nhà ga: TIN BISMUTH
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: SK HYNIX INC
Mã phần gói: TSOP2
Mô tả gói: TSOP2, TSSOP66, .46
Số lượng pin: 66
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.24
Nhà sản xuất: SK Hynix Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.79
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 0.7 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 200 MHz
Loại I / O: COMMON
Chiều dài Burst xen kẽ: 2,4,8
Mã JESD-30: R-PDSO-G66
Mã JESD-609: e6
Chiều dài: 22.225 mm
Mật độ bộ nhớ: 268435456 bit
Bộ nhớ IC Loại: DDR DRAM
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 66
Số từ: 16777216 từ
Mã số từ: 16000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 16MX16
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: TSOP2
Mã tương đương gói: TSSOP66, .46
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ NGOÀI, TIỂU SỬ NHỎ
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Nguồn cung cấp: 2.6 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Làm mới chu kỳ: 8192
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1.194 mm
Độ dài Burst tuần tự: 2,4,8
Dòng chờ-Tối đa: 0.01 A
Danh mục con: DRAMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.23 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2.7 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 2.4 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.6 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc nhà ga: TIN BISMUTH
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66