#HY5DU561622FTP-D43 HYNIXHY5DU561622FTP-D43新しいDDRDRAM、16MX16、0.7ns、CMOS、PDSO66、0.400 X 0.875インチ、0.65 MMピッチ、ROHS準拠、TSOP2-66、HY5DU561622FTP-D43写真、HY5DU561622FTP-D43価格、＃HY5DU561622FTP-D43サプライヤー
-----------------------
Eメール：sales@shunlongwei.com
-----------------------
Eメール：sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hy5du561622ftp-d43.html
-----------------------
メーカー部品番号：HY5DU561622FTP-D43
Pbfreeコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
Ihsメーカー：SK HYNIX INC
パーツパッケージコード：TSOP2
パッケージの説明: TSOP2、TSSOP66、.46、XNUMX
ピン数：66
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8542.32.00.24
メーカー：SKハイニックス株式会社
リスクランク：5.79
アクセスモード：FOUR BANK PAGE BURST
アクセス時間-最大：0.7 ns
追加機能：自動/自己更新
クロック周波数-最大（fCLK）：200 MHz
I / Oタイプ：COMMON
インターリーブバースト長：2,4,8
JESD-30コード：R-PDSO-G66
JESD-609コード：e6
長さ：22.225 mm
メモリ密度：268435456ビット
メモリ IC タイプ：DDR DRAM
メモリ幅：16
関数の数：1
ポート数：1
ターミナル数：66
ワード数：16777216ワード
単語数コード：16000000
動作モード：同期
動作温度-最大：70°C
組織：16MX16
出力特性：3-STATE
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：TSOP2
パッケージ等価コード：TSSOP66、.46
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さなアウトライン、薄いプロファイル
ピークリフロー温度（Cel）：260
電源：2.6 V
資格ステータス：資格なし
更新サイクル：8192
着座高さ-最大：1.194 mm
シーケンシャルバースト長：2,4,8、XNUMX、XNUMX、XNUMX
スタンバイ電流-最大：0.01 A
サブカテゴリ：DRAM
供給電流-最大：0.23 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：2.7 V
供給 電圧-最小（Vsup）：2.4 V
供給電圧-公称値（Vsup）：2.6 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：商用
ターミナルフィニッシュ：TIN BISMUTH
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルピッチ：0.65 mm
ターミナルポジション：DUAL
Time
DDR DRAM、16MX16、0.7ns、CMOS、PDSO66、0.400 X 0.875インチ、0.65 MMピッチ、ROHS準拠、TSOP2-66
Pbfreeコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
Ihsメーカー：SK HYNIX INC
パーツパッケージコード：TSOP2
パッケージの説明: TSOP2、TSSOP66、.46、XNUMX
ピン数：66
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8542.32.00.24
メーカー：SKハイニックス株式会社
リスクランク：5.79
アクセスモード：FOUR BANK PAGE BURST
アクセス時間-最大：0.7 ns
追加機能：自動/自己更新
クロック周波数-最大（fCLK）：200 MHz
I / Oタイプ：COMMON
インターリーブバースト長：2,4,8
JESD-30コード：R-PDSO-G66
JESD-609コード：e6
長さ：22.225 mm
メモリ密度：268435456ビット
メモリ IC タイプ：DDR DRAM
メモリ幅：16
関数の数：1
ポート数：1
ターミナル数：66
ワード数：16777216ワード
単語数コード：16000000
動作モード：同期
動作温度-最大：70°C
組織：16MX16
出力特性：3-STATE
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：TSOP2
パッケージ等価コード：TSSOP66、.46
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さなアウトライン、薄いプロファイル
ピークリフロー温度（Cel）：260
電源：2.6 V
資格ステータス：資格なし
更新サイクル：8192
着座高さ-最大：1.194 mm
シーケンシャルバースト長：2,4,8、XNUMX、XNUMX、XNUMX
スタンバイ電流-最大：0.01 A
サブカテゴリ：DRAM
供給電流-最大：0.23 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：2.7 V
供給 電圧-最小（Vsup）：2.4 V
供給電圧-公称値（Vsup）：2.6 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：商用
ターミナルフィニッシュ：TIN BISMUTH
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルピッチ：0.65 mm
ターミナルポジション：DUAL
Time
DDR DRAM、16MX16、0.7ns、CMOS、PDSO66、0.400 X 0.875インチ、0.65 MMピッチ、ROHS準拠、TSOP2-66