من خلال تقديم أكثر من ضعف أداء DDR4 بسرعة تصل إلى 7,200 ميجابت في الثانية ، سيكون DDR5 الجديد قادرًا على تنظيم أعباء العمل الأكثر جوعًا للحوسبة والنطاق الترددي العالي في الحوسبة الفائقة والذكاء الاصطناعي (AI) والتعلم الآلي (ML) ، أيضًا كتطبيقات لتحليل البيانات.
سامسونج هي الوحيدة أشباه الموصلات شركة تتمتع بقدرات المنطق والذاكرة والخبرة في دمج منطق HKMG المتطور التكنلوجيا يقول نائب رئيس شركة Samsung Young-Soo Sohn: "في تطوير منتجات الذاكرة، من خلال جلب هذا النوع من ابتكار العمليات إلى تصنيع DRAM، نحن قادرون على أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء وموفرة للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للأغراض الطبية. البحث والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وما بعدها.
ستستخدم DDR5 من سامسونج تقنية HKMG المتقدمة للغاية التي تم استخدامها تقليديًا في أشباه الموصلات المنطقية. مع استمرار تقليص هياكل DRAM ، تضعف طبقة العزل ، مما يؤدي إلى ارتفاع تيار التسرب. من خلال استبدال العازل بمادة HKMG ، ستكون DDR5 من سامسونج قادرة على تقليل التسرب والوصول إلى آفاق جديدة في الأداء. ستستخدم هذه الذاكرة الجديدة أيضًا طاقة أقل بنسبة 13٪ تقريبًا ، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص لمراكز البيانات حيث تزداد كفاءة الطاقة أهمية.
تم اعتماد عملية HKMG في ذاكرة GDDR6 من سامسونج في عام 2018 لأول مرة في الصناعة. من خلال توسيع استخدامها في DDR5 ، تعمل Samsung على ترسيخ ريادتها في الجيل التالي من تقنية DRAM.
بالاستفادة من تقنية (TSV) من خلال السيليكون ، تجمع ذاكرة DDR5 من سامسونج ثماني طبقات من رقائق DRAM بسعة 16 جيجابت لتقديم أكبر سعة تبلغ 512 جيجابايت. تم استخدام TSV لأول مرة في DRAM في عام 2014 عندما قدمت Samsung وحدات خادم بسعة تصل إلى 256 جيجابايت.
تقوم Samsung حاليًا بأخذ عينات مختلفة من عائلة منتجات الذاكرة DDR5 للعملاء للتحقق منها ، وفي النهاية ، الاعتماد مع منتجاتها الرائدة لتسريع AI / ML ، وحوسبة exascale ، والتحليلات ، والشبكات ، وأعباء العمل الأخرى كثيفة البيانات.
2021-03-25