Plus quam bis tradens observantia DDR4 usque ad 7,200 Mbps, novus DDR5 capax erit orchestrandi summam computandi esurientem, altae sed in laboribus in supercomputatione, intelligentia artificiali et machina discendi (ML), etiam ut notitia analyticorum applicationum.
"Samsung solus est" Gallium societas cum logica et memoria facultates et peritia incorporandi HKMG incisurae logicae Technology in memoriam producti progressus", ait Samsung vp Young-Soo Sohn, "hoc genus processus innovationis ad DRAM fabricando afferendo, clientibus nostris summus perficientur offerre possumus, solutiones tamen energiae memoriae efficientis ad potentiam computantium ad medicinam necessariam. investigatio, mercatus nummarius, incessus sui iuris, urbes captiosus et ultra.
Samsung DDR5 adhibebit technologiam HKMG valde provecta quae in dialecticis semiconductoribus tradita est. Cum continua scalarum structurarum DRAM descendens, stratum velit attenuavit, ducens ad altiorem venam lacus. Reponat insulator cum materia HKMG, Samsung DDR5 lacus reducere et novas altitudines in effectu pervenire poterit. Haec nova memoria etiam circiter 13% minus potentia utetur, eamque praecipue aptam dat centris ubi vis efficientiae magis magisque critica fit.
Processus HKMG in memoria GDDR6 Samsung in MMXVIII primum industria adhibitus est. Dilatando suum usum in DDR2018, Samsung amplius solidatur suum principatum in technologia DRAM generationis proximae.
Per technologiam-silicon per (TSV) technologiam, LG'S DDR5 acervos octo stratas 16Gb DRAM astulas ut maximam capacitatem 512GB offerat. TSV primum in DRAM in 2014 adhibitum est, cum Samsung servo modulorum cum facultatibus ad 256GB introducta est.
Samsung est currently sampling varias variationes eius DDR5 memoriae producti familiae ad clientium ad verificationem et, ultimo, certificationem cum producto ore ducens ad AI/ML computationem accelerandam, computando, analytica, networking, et alia intensiva data in laboribus.
2021-03-25