Samsung เพิ่ม HKMG DDR5 512GB DRAM

Samsung ได้ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DDR5 DRAM ด้วย DDR512 ขนาด 5GB ตัวแรกในอุตสาหกรรม โมดูล ขึ้นอยู่กับกระบวนการ High-K Metal Gate (HKMG) เทคโนโลยี.

ด้วยประสิทธิภาพมากกว่าสองเท่าของ DDR4 ที่ความเร็วสูงถึง 7,200 Mbps DDR5 ใหม่นี้จะสามารถจัดเตรียมปริมาณงานที่มีแบนด์วิธสูงในการประมวลผลที่หิวโหยและมีแบนด์วิธสูงในระบบซูเปอร์คอมพิวเตอร์ปัญญาประดิษฐ์ (AI) และการเรียนรู้ของเครื่อง (ML) อีกด้วย เป็นแอปพลิเคชันการวิเคราะห์ข้อมูล

“ ซัมซุงเป็นเพียงรายเดียว สารกึ่งตัวนำ บริษัทที่มีความสามารถด้านลอจิกและหน่วยความจำ และความเชี่ยวชาญในการรวมตรรกะที่ล้ำสมัยของ HKMG เทคโนโลยี ในการพัฒนาผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ” Young-Soo Sohn รองประธานของ Samsung กล่าว “ด้วยการนำนวัตกรรมกระบวนการประเภทนี้มาสู่การผลิต DRAM เราสามารถนำเสนอโซลูชันหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงแต่ประหยัดพลังงานแก่ลูกค้าของเรา เพื่อขับเคลื่อนคอมพิวเตอร์ที่จำเป็นสำหรับการแพทย์ การวิจัย ตลาดการเงิน การขับขี่อัตโนมัติ เมืองอัจฉริยะ และอื่นๆ อีกมากมาย”

DDR5 ของ Samsung จะใช้เทคโนโลยี HKMG ขั้นสูงที่ใช้ในเซมิคอนดักเตอร์แบบลอจิก ด้วยการลดขนาดโครงสร้าง DRAM ลงอย่างต่อเนื่องชั้นฉนวนจึงบางลงทำให้กระแสไฟฟ้ารั่วสูงขึ้น ด้วยการเปลี่ยนฉนวนด้วยวัสดุ HKMG DDR5 ของ Samsung จะสามารถลดการรั่วไหลและเพิ่มประสิทธิภาพใหม่ได้ หน่วยความจำใหม่นี้จะใช้พลังงานน้อยลงประมาณ 13% ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับศูนย์ข้อมูลที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานมีความสำคัญมากขึ้นเรื่อย ๆ

กระบวนการ HKMG ถูกนำมาใช้ในหน่วยความจำ GDDR6 ของ Samsung ในปี 2018 เป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม ด้วยการขยายการใช้งานใน DDR5 ทำให้ซัมซุงเป็นผู้นำในเทคโนโลยี DRAM รุ่นต่อไป

ด้วยการใช้ประโยชน์จากซิลิคอนผ่านเทคโนโลยี (TSV) ทำให้ DDR5 ของซัมซุงซ้อนทับชิป 16Gb DRAM แปดชั้นเพื่อให้มีความจุสูงสุด 512GB TSV ถูกนำมาใช้ครั้งแรกใน DRAM ในปี 2014 เมื่อ Samsung เปิดตัวโมดูลเซิร์ฟเวอร์ที่มีความจุสูงถึง 256GB

ขณะนี้ซัมซุงกำลังสุ่มตัวอย่างผลิตภัณฑ์ในตระกูลหน่วยความจำ DDR5 ที่แตกต่างกันให้กับลูกค้าเพื่อการตรวจสอบและท้ายที่สุดการรับรองด้วยผลิตภัณฑ์ระดับแนวหน้าของพวกเขาเพื่อเร่งความเร็ว AI / ML, การประมวลผลแบบ Exascale, การวิเคราะห์, ระบบเครือข่ายและเวิร์กโหลดอื่น ๆ ที่ต้องใช้ข้อมูลมาก