التحكم فائق السرعة ROHM IC التكنلوجيا يعمل على زيادة أداء GaN وأجهزة التبديل الأخرى عالية السرعة. في حين أن اعتماد أجهزة GaN قد زاد في السنوات الأخيرة بسبب خصائصها المتميزة في التحويل عالي السرعة، فإن سرعة دوائر التحكم المتكاملة، المسؤولة عن توجيه قيادة هذه الأجهزة، أصبحت مطلوبة.
رداً على ذلك ، طورت الشركة تقنية التحكم في النبض فائقة السرعة Nano Pulse Control. تم تطويره من أجل الدوائر المتكاملة لإمداد الطاقة ، ونجح في تحسين عرض نبض التحكم بشكل كبير من 9ns التقليدي إلى 2ns الأفضل في الصناعة. سمح استخدام هذه التكنولوجيا للشركة بإنشاء تقنية IC للتحكم فائقة السرعة والتي تزيد من أداء أجهزة GaN.
عند السعي إلى تصغير مصدر الطاقة الدارة الكهربائية، من الضروري تقليل حجم المكونات الطرفية عن طريق التبديل عالي السرعة. يتطلب تحقيق ذلك وجود IC للتحكم يمكنه الاستفادة من أداء محرك أجهزة التبديل عالية السرعة مثل أجهزة GaN.
أطلقت الشركة تقنية Control IC فائقة السرعة المحسّنة لأجهزة GaN باستخدام تقنية إمداد الطاقة التناظرية الخاصة بـ Nano Pulse Control لتقديم حلول تتضمن المكونات الطرفية.
تعمل الشركة حاليًا على تسويق الدوائر المتكاملة للتحكم التي تستخدم هذه التكنولوجيا ، مع خطط لبدء شحن عينة من 100 فولت 1ch DC-DC Control IC في النصف الثاني من عام 2023. ومن المتوقع أن يؤدي استخدام أجهزة GaN (سلسلة EcoGaN) إلى توفير كبير في الطاقة والتصغير في تطبيقات مختلفة ، بما في ذلك المحطات القاعدية ومراكز البيانات ومعدات FA والطائرات بدون طيار.
قال البروفيسور يوسوكي موري ، كلية الدراسات العليا للهندسة ، جامعة أوساكا: "لقد كانت GaN متوقعة للغاية لسنوات عديدة كقوة أشباه الموصلات المواد التي يمكن أن تحقق وفورات في الطاقة ، ولكن هناك عقبات مثل الجودة والتكلفة. في ظل هذه الظروف ، أنشأت ROHM نظامًا للإنتاج الضخم لأجهزة GaN التي توفر موثوقية محسّنة مع تطوير وحدات تحكم متكاملة يمكنها زيادة أدائها إلى الحد الأقصى. يمثل هذا خطوة كبيرة نحو اعتماد واسع النطاق لأجهزة GaN. لإثبات أداء أشباه موصلات الطاقة بشكل حقيقي ، من الضروري ربط كل تقنية بشكل عضوي ، مثل الرقاقات ، والأجهزة ، و ICs للتحكم ، والوحدات النمطية. في هذا الصدد ، تعد اليابان موطنًا للعديد من الشركات الرائدة ، بما في ذلك ROHM. آمل أن أساهم في تحقيق مجتمع منزوع الكربون من خلال التعاون في GaN على تقنية رقاقة GaN وأجهزة ROHM بالإضافة إلى وحدات التحكم ووحدات التحكم. "