Die ultraschnelle Steuerung von ROHM IC Technologie Maximiert die Leistung von GaN und anderen Hochgeschwindigkeitsschaltgeräten. Während die Akzeptanz von GaN-Geräten aufgrund ihrer hervorragenden Hochgeschwindigkeitsschalteigenschaften in den letzten Jahren zugenommen hat, ist die Geschwindigkeit der Steuer-ICs, die für die Steuerung der Ansteuerung dieser Geräte verantwortlich sind, anspruchsvoll geworden.
Als Reaktion darauf hat das Unternehmen seine ultraschnelle Pulssteuerungstechnologie Nano Pulse Control entwickelt. Es wurde für Stromversorgungs-ICs entwickelt und konnte die Steuerimpulsbreite von den herkömmlichen 9 ns auf die branchenweit besten 2 ns erheblich verbessern. Der Einsatz dieser Technologie ermöglichte es dem Unternehmen, seine ultraschnelle Steuer-IC-Technologie zu etablieren, die die Leistung von GaN-Geräten maximiert.
Bei der Verfolgung der Miniaturisierung der Stromversorgung Schaltung, ist es wesentlich, die Größe der peripheren Komponenten durch schnelles Schalten zu verringern. Um dies zu erreichen, ist ein Steuer-IC erforderlich, der die Treiberleistung von Hochgeschwindigkeitsschaltgeräten wie GaN-Geräten nutzen kann.
Das Unternehmen führte eine Ultrahochgeschwindigkeits-Steuerungs-IC-Technologie ein, die für GaN-Geräte optimiert ist und die proprietäre analoge Stromversorgungstechnologie Nano Pulse Control verwendet, um Lösungen mit integrierten Peripheriekomponenten anzubieten.
Das Unternehmen arbeitet derzeit an der Kommerzialisierung von Steuer-ICs, die diese Technologie verwenden, und plant, in der zweiten Hälfte des Jahres 100 mit der Musterlieferung von 1-V-2023-Kanal-DC-DC-Steuer-ICs zu beginnen. Der Einsatz seiner GaN-Bauelemente (EcoGaN-Serie) soll voraussichtlich zu erheblichen Energieeinsparungen führen und Miniaturisierung in verschiedenen Anwendungen, darunter Basisstationen, Rechenzentren, FA-Ausrüstung und Drohnen.
Professor Yusuke Mori, Graduate School of Engineering, Osaka University, sagte: „GaN wird seit vielen Jahren als Macht mit Spannung erwartet Halbleiter Material, das Energieeinsparungen erzielen kann, aber es gibt Hindernisse wie Qualität und Kosten. Unter diesen Umständen hat ROHM ein Massenproduktionssystem für GaN-Geräte aufgebaut, das eine verbesserte Zuverlässigkeit bietet und gleichzeitig Steuer-ICs entwickelt, die ihre Leistung maximieren können. Dies stellt einen großen Schritt in Richtung der weit verbreiteten Einführung von GaN-Geräten dar. Um die Leistung von Leistungshalbleitern wirklich zu demonstrieren, ist es notwendig, jede Technologie, wie Wafer, Geräte, Steuer-ICs und Module, organisch zu verbinden. In dieser Hinsicht ist Japan die Heimat vieler führender Unternehmen, einschließlich ROHM. Ich hoffe, durch die Zusammenarbeit mit unserer GaN-on-GaN-Wafer-Technologie und den Geräten sowie Steuer-ICs und -Modulen von ROHM zum Erreichen einer dekarbonisierten Gesellschaft beitragen zu können.“