Kontrol kecepatan sangat tinggi ROHM IC teknologi memaksimalkan kinerja GaN dan perangkat switching berkecepatan tinggi lainnya. Meskipun adopsi perangkat GaN telah berkembang dalam beberapa tahun terakhir karena karakteristik peralihan berkecepatan tinggi yang luar biasa, kecepatan IC kontrol, yang bertanggung jawab untuk mengarahkan penggerak perangkat ini, semakin menuntut.
Sebagai tanggapan, perusahaan telah mengembangkan teknologi kontrol pulsa berkecepatan sangat tinggi Nano Pulse Control. Ini dikembangkan untuk IC catu daya, berhasil meningkatkan lebar pulsa kontrol dari 9ns konvensional menjadi 2ns terbaik di industri. Menggunakan teknologi ini memungkinkan perusahaan untuk membangun teknologi IC kontrol berkecepatan sangat tinggi yang memaksimalkan kinerja perangkat GaN.
Saat mengejar miniaturisasi catu daya sirkit, sangat penting untuk mengurangi ukuran komponen periferal melalui peralihan kecepatan tinggi. Untuk mencapai hal ini diperlukan IC kontrol yang dapat memanfaatkan kinerja drive perangkat switching berkecepatan tinggi seperti perangkat GaN.
Perusahaan meluncurkan teknologi IC Kontrol berkecepatan sangat tinggi yang dioptimalkan untuk perangkat GaN menggunakan teknologi catu daya analog berpemilik Nano Pulse Control untuk menawarkan solusi yang menggabungkan komponen periferal.
Perusahaan saat ini bekerja untuk mengkomersialkan IC kontrol yang menggunakan teknologi ini, dengan rencana untuk memulai pengiriman sampel IC Kontrol DC-DC 100V 1ch pada paruh kedua tahun 2023. Pemanfaatan perangkat GaN (seri EcoGaN) diperkirakan akan menghasilkan penghematan energi yang cukup besar dan miniaturisasi dalam berbagai aplikasi, termasuk BTS, pusat data, peralatan FA, dan drone.
Profesor Yusuke Mori, Sekolah Pascasarjana Teknik, Universitas Osaka, berkata: “GaN telah sangat dinantikan selama bertahun-tahun sebagai kekuatan Semikonduktor bahan yang dapat mencapai penghematan energi, tetapi ada kendala seperti kualitas dan biaya. Dalam keadaan ini, ROHM telah membentuk sistem produksi massal untuk perangkat GaN yang memberikan peningkatan keandalan sekaligus mengembangkan IC Kontrol yang dapat memaksimalkan kinerjanya. Ini merupakan langkah besar menuju adopsi perangkat GaN secara luas. Untuk benar-benar mendemonstrasikan kinerja semikonduktor daya, perlu menghubungkan setiap teknologi secara organik, seperti wafer, perangkat, IC Kontrol, dan modul. Dalam hal ini, Jepang adalah rumah bagi banyak perusahaan terkemuka, termasuk ROHM. Saya berharap dapat berkontribusi untuk mencapai masyarakat tanpa karbon dengan mengkolaborasikan GaN kami pada teknologi wafer GaN dan perangkat ROHM serta IC Kontrol dan modul.”