การควบคุมความเร็วสูงพิเศษของ ROHM IC เทคโนโลยี เพิ่มประสิทธิภาพของ GaN และอุปกรณ์สวิตชิ่งความเร็วสูงอื่นๆ ให้สูงสุด ในขณะที่การนำอุปกรณ์ GaN มาใช้เพิ่มขึ้นในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาเนื่องจากคุณลักษณะการสลับความเร็วสูงที่โดดเด่น ความเร็วของไอซีควบคุมซึ่งมีหน้าที่ควบคุมการขับขี่อุปกรณ์เหล่านี้กลับกลายมาเป็นที่ต้องการ
เพื่อเป็นการตอบสนอง บริษัทได้พัฒนาเทคโนโลยีการควบคุมพัลส์ความเร็วสูงพิเศษ Nano Pulse Control ได้รับการพัฒนาสำหรับ IC ของพาวเวอร์ซัพพลาย ซึ่งประสบความสำเร็จในการเพิ่มความกว้างของพัลส์ควบคุมอย่างมากจาก 9ns แบบเดิมเป็น 2ns ที่ดีที่สุดในอุตสาหกรรม การใช้เทคโนโลยีนี้ทำให้บริษัทสามารถสร้างเทคโนโลยี IC ควบคุมความเร็วสูงพิเศษที่เพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ GaN ได้สูงสุด
เมื่อทำการย่อขนาดแหล่งจ่ายไฟ วงจรไฟฟ้าสิ่งสำคัญคือต้องลดขนาดของส่วนประกอบต่อพ่วงด้วยการสลับความเร็วสูง การดำเนินการนี้ให้สำเร็จจำเป็นต้องมี IC ควบคุมที่สามารถใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพของไดรฟ์ของอุปกรณ์สวิตชิ่งความเร็วสูง เช่น อุปกรณ์ GaN
บริษัทเปิดตัวเทคโนโลยี IC ควบคุมความเร็วสูงพิเศษที่ปรับให้เหมาะกับอุปกรณ์ GaN โดยใช้เทคโนโลยีการจ่ายไฟแบบอะนาล็อกที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Nano Pulse Control เพื่อนำเสนอโซลูชันที่รวมส่วนประกอบรอบข้าง
ปัจจุบัน บริษัทกำลังทำงานเพื่อจำหน่ายวงจรรวมควบคุมที่ใช้เทคโนโลยีนี้ โดยมีแผนจะเริ่มจัดส่งตัวอย่างไอซีควบคุม DC-DC 100V 1ch ในช่วงครึ่งหลังของปี 2023 การใช้อุปกรณ์ GaN (ซีรีส์ EcoGaN) คาดว่าจะส่งผลให้ประหยัดพลังงานได้มาก และการย่อส่วนในแอปพลิเคชันต่างๆ รวมถึงสถานีฐาน ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์ FA และโดรน
ศาสตราจารย์ Yusuke Mori, Graduate School of Engineering, Osaka University กล่าวว่า "GaN ได้รับการคาดหวังอย่างสูงมาเป็นเวลาหลายปีในฐานะมหาอำนาจ สารกึ่งตัวนำ วัสดุที่สามารถประหยัดพลังงานได้ แต่มีอุปสรรคเช่นคุณภาพและต้นทุน ภายใต้สถานการณ์เหล่านี้ ROHM ได้สร้างระบบการผลิตจำนวนมากสำหรับอุปกรณ์ GaN ที่ให้ความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้นในขณะเดียวกันก็พัฒนา IC ควบคุมที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพได้สูงสุด นี่เป็นขั้นตอนใหญ่ในการนำอุปกรณ์ GaN ไปใช้อย่างแพร่หลาย เพื่อแสดงให้เห็นประสิทธิภาพของเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าอย่างแท้จริง จำเป็นต้องเชื่อมโยงเทคโนโลยีแต่ละอย่างเข้าด้วยกัน เช่น เวเฟอร์ อุปกรณ์ ไอซีควบคุม และโมดูล ในเรื่องนี้ ญี่ปุ่นเป็นที่ตั้งของบริษัทชั้นนำหลายแห่ง รวมถึง ROHM ฉันหวังว่าจะมีส่วนร่วมในการบรรลุสังคมที่ปราศจากคาร์บอนโดยการร่วมมือกับ GaN ของเราเกี่ยวกับเทคโนโลยีเวเฟอร์ GaN และอุปกรณ์ของ ROHM ตลอดจน IC และโมดูลควบคุม”