Kawalan ultra berkelajuan tinggi ROHM IC teknologi memaksimumkan prestasi GaN dan peranti pensuisan berkelajuan tinggi yang lain. Walaupun penggunaan peranti GaN telah berkembang dalam beberapa tahun kebelakangan ini disebabkan ciri pensuisan berkelajuan tinggi yang luar biasa, kelajuan IC kawalan, yang bertanggungjawab untuk mengarahkan pemanduan peranti ini, telah menjadi mencabar.
Sebagai tindak balas, syarikat itu telah mengembangkan teknologi kawalan nadi berkelajuan ultra tinggi Kawalan Nadi Nano. Ia dibangunkan untuk IC bekalan kuasa, berjaya meningkatkan lebar nadi kawalan daripada 9ns konvensional kepada 2ns terbaik industri. Menggunakan teknologi ini membolehkan syarikat mewujudkan teknologi IC kawalan kelajuan ultra tingginya yang memaksimumkan prestasi peranti GaN.
Apabila mengejar pengecilan bekalan kuasa litar, adalah penting untuk mengurangkan saiz komponen persisian melalui pensuisan berkelajuan tinggi. Untuk mencapai ini memerlukan IC kawalan yang boleh memanfaatkan prestasi pemacu peranti pensuisan berkelajuan tinggi seperti peranti GaN.
Syarikat itu melancarkan teknologi IC Kawalan berkelajuan ultra tinggi yang dioptimumkan untuk peranti GaN menggunakan teknologi bekalan kuasa analog proprietari Kawalan Nadi Nano untuk menawarkan penyelesaian yang menggabungkan komponen persisian.
Syarikat itu kini sedang berusaha untuk mengkomersialkan IC kawalan yang menggunakan teknologi ini, dengan rancangan untuk memulakan penghantaran sampel IC Kawalan DC-DC 100V 1ch pada separuh kedua 2023. Menggunakan peranti GaNnya (siri EcoGaN) dijangka menghasilkan penjimatan tenaga yang banyak dan pengecilan dalam pelbagai aplikasi, termasuk stesen pangkalan, pusat data, peralatan FA dan dron.
Profesor Yusuke Mori, Sekolah Siswazah Kejuruteraan, Universiti Osaka, berkata: "GaN telah sangat dinanti-nantikan selama bertahun-tahun sebagai kuasa Semikonduktor bahan yang boleh mencapai penjimatan tenaga, tetapi terdapat halangan seperti kualiti dan kos. Di bawah keadaan ini, ROHM telah mewujudkan sistem pengeluaran besar-besaran untuk peranti GaN yang memberikan kebolehpercayaan yang lebih baik di samping membangunkan IC Kawalan yang boleh memaksimumkan prestasinya. Ini mewakili satu langkah besar ke arah penggunaan meluas peranti GaN. Untuk benar-benar menunjukkan prestasi semikonduktor kuasa, adalah perlu untuk memautkan setiap teknologi secara organik, seperti wafer, peranti, IC Kawalan dan modul. Dalam hal ini, Jepun adalah rumah kepada banyak syarikat terkemuka, termasuk ROHM. Saya berharap dapat menyumbang untuk mencapai masyarakat yang tidak berkarbon dengan bekerjasama dengan GaN kami pada teknologi wafer GaN dan peranti ROHM serta IC dan modul Kawalan.”