ロームの超高速制御 IC テクノロジー GaN およびその他の高速スイッチング デバイスのパフォーマンスを最大化します。 近年、優れた高速スイッチング特性によりGaNデバイスの採用が進んでいますが、その駆動を司る制御ICの高速化が求められています。
そこで同社は超高速パルス制御技術「ナノパルスコントロール」を進化させた。 電源IC向けに開発され、制御パルス幅を従来の9nsから業界最高の2nsへと大幅に向上させることに成功。 この技術を採用することで、同社はGaNデバイスの性能を最大限に引き出す超高速制御IC技術を確立することができました。
電源の小型化を追求する場合 回路高速スイッチングによる周辺部品の小型化が不可欠です。 これを実現するには、GaNデバイスなどの高速スイッチングデバイスの駆動能力を活かすことができる制御ICが必要です。
同社は、独自のアナログ電源技術 Nano Pulse Control を用いて GaN デバイスに最適化した超高速制御 IC 技術を開発し、周辺部品を組み込んだソリューションを提供しています。
同社は現在、この技術を採用したコントロールICの製品化に取り組んでおり、100年後半に1V 2023ch DC-DCコントロールICのサンプル出荷を開始する予定である。同社のGaNデバイス（EcoGaNシリーズ）を活用することで、大幅な省エネ効果が期待できる。基地局、データセンター、FA機器、ドローンなど様々な用途で小型化・小型化を実現。
大阪大学大学院工学研究科の森祐介教授は、次のように述べています。 半導体 省エネを実現できる材料ですが、品質やコストなどの障壁があります。 このような状況下、ロームはGaNデバイスの量産体制を確立し、信頼性を向上させるとともに、その性能を最大限に発揮できるコントロールICを開発しました。 これは、GaNデバイスの普及に向けた大きな一歩です。 パワー半導体の性能を真に発揮させるためには、ウエハー、デバイス、制御IC、モジュールなど、それぞれの技術を有機的に結びつける必要があります。 この点、日本にはロームをはじめ多くの有力企業があります。 当社のGaN on GaNウエハー技術とロームのデバイスや制御IC・モジュールを連携させ、脱炭素社会の実現に貢献したいと考えています。」