#BSM15GD120DN2 EUPEC BSM15GD120DN2 Neu IGBT Module 1200V 15A 3-PHASE, BSM15GD120DN2 Bilder, BSM15GD120DN2 Preis, # BSM15GD120DN2 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM15GD120DN2
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
RoHS: JA
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 25 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 150 nA
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Verpackung / Karton: EconoPACK 2
Maximale Gate-Emitter-Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Pd - Verlustleistung: 145 W.
Factory Pack Menge: 500
IGBT-Module 1200V 15A 3-PHASE