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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM15GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
RoHS: SÍ
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Tensión colector-emisor VCEO Max: 1200 V
Tensión de saturación Colector-Emisor: 2.5 V
Corriente continua de colector a 25 C: 25 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 150 nA
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Paquete / Estuche: EconoPACK 2
Voltaje máximo del emisor de puerta: +/- 20 V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Pd - Disipación de energía: 145 W
Cantidad de paquete de fábrica: 500
Módulos IGBT 1200V 15A 3-PHASE