#BSM15GD120DN2 EUPEC BSM15GD120DN2 ใหม่ IGBT โมดูล 1200V 15A 3 เฟสรูปภาพ BSM15GD120DN2 ราคา BSM15GD120DN2 # ผู้จัดจำหน่าย BSM15GD120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM15GD120DN2
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล
RoHS: ใช่
แบรนด์: Infineon Technologies
สินค้า: IGBT Silicon Modules
การกำหนดค่า: Hex
แรงดันไฟสะสม- ตัวส่งสัญญาณ VCEO สูงสุด: 1200 V
แรงดันไฟฟ้าความอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวส่งสัญญาณ: 2.5 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 25 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 150 nA
อุณหภูมิในการใช้งานสูงสุด: + 150 C
บรรจุภัณฑ์/กล่อง: EconoPACK 2
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: +/- 20 V.
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 145 W.
จำนวนแพ็คโรงงาน: 500
โมดูล IGBT 1200V 15A 3 เฟส