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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM15GD120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: SIM
Marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Hex
Tensão do coletor-emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 25 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 150 nA
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Pacote / Estojo: EconoPACK 2
Tensão máxima do emissor da porta: +/- 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Pd - Dissipação de energia: 145 W
Quantidade do pacote de fábrica: 500
Módulos IGBT 1200V 15A 3-FASE