#BSM15GD120DN2 EUPEC BSM15GD120DN2 Nuovo IGBT Moduli 1200V 15A TRIFASE, immagini BSM3GD15DN120, prezzo BSM2GD15DN120, fornitore # BSM2GD15DN120
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM15GD120DN2
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
RoHS: SI
Marchio: Infineon Technologies
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: esadecimale
Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max: 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.5 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 25 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 150 nA
Temperatura operativa massima: + 150 C
Confezione/scatola: EconoPACK 2
Tensione massima del gate-emettitore: +/- 20 V.
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Pd - Dissipazione di potenza: 145 W.
Quantità confezione da fabbrica: 500
Moduli IGBT 1200V 15A TRIFASE