#BSM15GD120DN2 EUPEC BSM15GD120DN2 Nouveau IGBT Modules 1200V 15A triphasé, images BSM3GD15DN120, prix BSM2GD15DN120, fournisseur # BSM2GD15DN120
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM15GD120DN2
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 25 A
Courant de fuite porte-émetteur: 150 nA
Température de fonctionnement maximale: + 150 C
Emballage/Boîte : EconoPACK 2
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20 V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Pd - Dissipation de puissance: 145 W
Quantité par emballage d'usine: 500
Modules IGBT 1200V 15A 3 PHASE