#BSM25GD120DN2E3224 EUPEC BSM25GD120DN2E3224 Neu IGBT Module N-CH 1.2KV 35A, BSM25GD120DN2E3224 Bilder, BSM25GD120DN2E3224 Preis, #BSM25GD120DN2E3224 Lieferant
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BSM25GD120DN2E3224
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: Details
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Sechskant
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 35 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 180 k.A
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket / Fall: EconoPACK 2
Marke: Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Pd - Verlustleistung: 200 W
Factory Pack Menge: 10
IGBT-Module N-CH 1.2KV 35A
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