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BSM25GD120DN2E3224
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
RoHS: Adicionar ao carrinho
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Feitiço
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 35 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 180 nA
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Pacote / Caso: EconoPACK 2
marca: Infineon Technologies
Tensão máxima do emissor da porta: +/- 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Pd - Dissipação de energia: 200 W
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 35A
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