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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM25GD120DN2E3224
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: Détails
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 35
Courant de fuite porte-émetteur: 180 na
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Paquet / Cas: ÉconoPACK 2
Marque: Infineon Technologies
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Pd - Dissipation de puissance: 200 W
Quantité de paquet d'usine: 10
Modules IGBT N-CH 1.2KV 35A
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