#BSM25GD120DN2E3224 EUPEC BSM25GD120DN2E3224 Mới IGBT Mô-đun N-CH 1.2KV 35A, hình ảnh BSM25GD120DN2E3224, giá BSM25GD120DN2E3224, nhà cung cấp # BSM25GD120DN2E3224
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM25GD120DN2E3224
Nhà chế tạo: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm: Mô-đun IGBT
RoHS: Chi tiết
Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: Các 35
Cổng rò rỉ hiện tại: 180nA
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150c
Gói / Vỏ: GÓI tiết kiệm 2
Nhãn hiệu: Công nghệ Infineon
Điện áp phát cổng tối đa: +/- 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Gắn Kiểu: Đinh ốc
Pd - Tiêu tán công suất: 200 W
Số lượng nhà máy sản xuất: 10
Mô-đun IGBT N-CH 1.2KV 35A
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM25GD120DN2E3224 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM25GD120DN2E3224 với bảo hành 6 tháng.