#BSM25GD120DN2E3224 EUPEC BSM25GD120DN2E3224 Nuovo IGBT Moduli N-CH 1.2KV 35A, immagini BSM25GD120DN2E3224, prezzo BSM25GD120DN2E3224, fornitore #BSM25GD120DN2E3224
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BSM25GD120DN2E3224
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: Moduli IGBT
RoHS: Dettagli
Prodotti: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: Hex
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.5 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 35
Corrente di dispersione gate-emettitore: 180 n.a
Temperatura operativa massima: + 150 Do
Pacchetto / caso: Pacchetto Econo 2
Marca: Infineon Technologies
Tensione Gate Emitter Massima: +/- 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Pd - Dissipazione di potenza: 200 W
Quantità confezione di fabbrica: 10
Moduli IGBT N-CH 1.2KV 35A
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