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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM25GD120DN2E3224
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: Módulos IGBT
RoHS: Detalles
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 35 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 180 na
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Paquete / Estuche: EconoPACK 2
Marca: Infineon Technologies
Voltaje máximo del emisor de puerta: +/- 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Pd - Disipación de energía: 200 W
Cantidad de paquete de fábrica: 10
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 35A
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