#FQA10N80C FCS FQA10N80C Neue Leistung MOSFET, N-Kanal, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE, FQA10N80C Bilder, FQA10N80C Preis, #FQA10N80C Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: FQA10N80C-F109
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Paketbeschreibung: ROHS-KONFORM, TO-3PN, 3 PIN
Hersteller Paketcode: 340BZ
Hersteller: ON Halbleiter
Risikorang: 2.06
Konfiguration: Single
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 10 A
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 240 W
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
Power MOSFET, N-Kanal, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Paketbeschreibung: ROHS-KONFORM, TO-3PN, 3 PIN
Hersteller Paketcode: 340BZ
Hersteller: ON Halbleiter
Risikorang: 2.06
Konfiguration: Single
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 10 A
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Power Verlustleistung-Max (Abs): 240 W
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Aufputz: NR
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