#FQA10N80C FCS FQA10N80C Novo Poder mosfet, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE, imagens FQA10N80C, preço FQA10N80C, fornecedor # FQA10N80C
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Email: sales@shunlongwei.com
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Número da peça do fabricante: FQA10N80C-F109
Nome da marca: ON Semicondutores
Código Pbfree: Ativo
Fabricante Ihs: NO SEMICONDUTOR
Descrição do pacote: ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN
Código do pacote do fabricante: 340BZ
Fabricante: ON Semicondutores
Classificação de risco: 2.06
Configuração: Única
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 10 A
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 240 W
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: NÃO
Potência mosfet, Canal N, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE
Nome da marca: ON Semicondutores
Código Pbfree: Ativo
Fabricante Ihs: NO SEMICONDUTOR
Descrição do pacote: ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN
Código do pacote do fabricante: 340BZ
Fabricante: ON Semicondutores
Classificação de risco: 2.06
Configuração: Única
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 10 A
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 240 W
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: NÃO
Potência mosfet, Canal N, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE