#FQA10N80C FCS FQA10N80C Nouvelle Puissance mosfet, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE, photos FQA10N80C, prix FQA10N80C, fournisseur #FQA10N80C
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Email: sales@shunlongwei.com
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Numéro de pièce du fabricant : FQA10N80C-F109
Nom de la marque: ON Semi-conducteurs
Code Pbfree : Actif
Ihs Fabricant: ON SEMICONDUCTOR
Description de l'emballage : conforme ROHS, TO-3PN, 3 broches
Code d'emballage du fabricant : 340BZ
Fabricant: ON Semi-conducteurs
Classement de risque: 2.06
Configuration: unique
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 10 A
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 240 W
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Puissance mosfet, canal N, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE
Nom de la marque: ON Semi-conducteurs
Code Pbfree : Actif
Ihs Fabricant: ON SEMICONDUCTOR
Description de l'emballage : conforme ROHS, TO-3PN, 3 broches
Code d'emballage du fabricant : 340BZ
Fabricant: ON Semi-conducteurs
Classement de risque: 2.06
Configuration: unique
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 10 A
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 240 W
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Puissance mosfet, canal N, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE