#FQA10N80C FCS FQA10N80C כוח חדש MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE, FQA10N80C תמונות, FQA10N80C מחיר, ספק #FQA10N80C
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
מספר חלק של יצרן: FQA10N80C-F109
שם מותג: ON סמיקונדקטור
קוד Pbfree: פעיל
יצרן Ihs: ON SEMICONDUCTOR
תיאור החבילה: תואם ROHS, TO-3PN, 3 PIN
קוד חבילת יצרן: 340BZ
יצרן: ON סמיקונדקטור
דרגת סיכון: 2.06
תצורה: יחיד
זרם ניקוז מקסימלי (Abs) (ID): 10 A.
FET טכנולוגיה: מתכת-אוקסיד סמיקונדקטור
מצב הפעלה: מצב שיפור
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 150 מעלות צלזיוס
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
כוח פיזור מקסימום (Abs): 240 וואט
קטגוריית משנה: כוח FET למטרה כללית
משטח הר: NO
כוח MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE
שם מותג: ON סמיקונדקטור
קוד Pbfree: פעיל
יצרן Ihs: ON SEMICONDUCTOR
תיאור החבילה: תואם ROHS, TO-3PN, 3 PIN
קוד חבילת יצרן: 340BZ
יצרן: ON סמיקונדקטור
דרגת סיכון: 2.06
תצורה: יחיד
זרם ניקוז מקסימלי (Abs) (ID): 10 A.
FET טכנולוגיה: מתכת-אוקסיד סמיקונדקטור
מצב הפעלה: מצב שיפור
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 150 מעלות צלזיוס
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
כוח פיזור מקסימום (Abs): 240 וואט
קטגוריית משנה: כוח FET למטרה כללית
משטח הר: NO
כוח MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 10 A, 1.1 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE