#ФКА10Н80К FCS FQA10N80C Новая мощность MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 В, 10 А, 1.1 Ом, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE, изображения FQA10N80C, цена FQA10N80C, # FQA10N80C поставщик
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Номер детали производителя: FQA10N80C-F109
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON SEMICONDUCTOR
Описание упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, TO-3PN, 3 PIN
Код упаковки производителя: 340BZ
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 2.06
Конфигурация: одиночный
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 10 A
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Питания Максимальное рассеивание (абс): 240 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Питания MOSFET, N-канальный, QFET®, 800 В, 10 А, 1.1 Ом, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON SEMICONDUCTOR
Описание упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, TO-3PN, 3 PIN
Код упаковки производителя: 340BZ
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 2.06
Конфигурация: одиночный
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 10 A
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Питания Максимальное рассеивание (абс): 240 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: НЕТ
Питания MOSFET, N-канальный, QFET®, 800 В, 10 А, 1.1 Ом, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE