Das untere Tor Transistor ist mit einem Stapel aus zwei Schichten aufgebaut:
Neben dem oxidisolierten Silizium-Gate befindet sich eine Ladungstransportschicht (CTL) aus indiumreichem InSnZnO „mit großen durchschnittlichen effektiven Koordinationszahlen für alle Kationen und zahlreichen kantengemeinsamen Strukturen zur Förderung der Mobilität“, so die chinesische Akademie von Sciences (CAS), zu der NMITE gehört. Die andere Hälfte der Doppelschicht bildet eine Ladungsrelaxationsschicht (CRL) aus Praseodym-dotiertem InSnZnO, „das die Photoelektronenlebensdauer erheblich verkürzen kann und die Spannungsstabilisierung bei negativer Vorspannung erleichtert“.
Die Temperaturspannungsstabilität mit positiver Vorspannung wird durch die Verwendung von mindestens 20 nm CTL gefördert, die eine großflächige Abscheidungsgleichmäßigkeit erhalten.
Die Stabilitätswerte sind -1.64 V für die Beleuchtungsspannungsverschiebung bei negativer Vorspannung und +760 mV für die Temperaturspannungsverschiebung bei positiver Vorspannung.
„Diese Strategie hat einen vielversprechenden Weg zur Lösung des Mobilitäts-Stabilitäts-Konflikts für High-End-Displays aufgezeigt und die weitere TFT-bezogene Forschung und Entwicklung gefördert“, so CAS.
NIMTE arbeitete mit der Sun Yat-Sen University zusammen.
Die Arbeit ist in „Addressing the conflict between mobility and Stability in Oxide Thin-Film Transistors“ beschrieben, das in Advanced Science veröffentlicht wurde und kostenlos vollständig gelesen werden kann.
Laut diesem Papier wird erwartet, dass IGZO-TFTs die ~40 cm nicht erreichen2/V/s-Mobilität, die in 240-Hz-8K-Displays benötigt wird.
Die obige Stabilitätsanforderung ergibt sich aus der Notwendigkeit, einen Stall zu haben Transistor Schwellenwert für einen vorhersehbaren Anzeigebetrieb, der über 0 V liegt, aber nicht viel über 0 V, um den Bedarf an leistungshungrigen Treibersignalen mit hoher Amplitude zu minimieren. Je stabiler der Schwellwert ist, desto weniger Bedarf besteht für eine zusätzliche Just-in-Case-Amplitude.
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