Solum-porta Gallium construitur acervus duplex:
InSnZnO iuxta oxydatum-insulate portae siliconis crimen onerariis (CTL) constat ex indio-dives InSnZnO "featuring magnae mediocris coordinationis numerorum efficax pro omnibus cationibus et structurae abundans ore-participatae ad mobilitatem promovendam", secundum Academiam Sinensem Scientiarum (CAS), quarum pars NMITE est. Altera medietas bi-iacentis formans crimen relaxationis iacuit (CRL) factum e praseodymium-doped InSnZnO, "quod potest signanter breviare vita photoelectron, quae faciliorem reddit illuminationem negativae-bias stabilisationis accentus".
Positivus-praecavatio accentus stabilitas temperatura augetur utendo saltem 20nm de CTL amplam depositionem aequalitatis obtinuit.
Figurae stabilitatis sunt -1.64V propter mutationem accentus negativum-illuminationis, et +760mV pro motu affirmativo temperaturae accentus transpositio.
"Hoc consilium dedit iter pollicens ad conflictum mobilitatis stabilitatis componendum ad ostentationes summos fines, ulteriorem investigationem et progressionem TFT relatas promovens" secundum CAS.
NIMTE laboravit cum Universitate Sun Yat-Sen.
Opus describitur in 'Adloquendo de conflictu inter mobilitatem et stabilitatem in oxydatum tenu-vell transistorum', in Provectus Scientia divulgatum, et praesto est in plena perlegere sine solutione.
Iuxta hanc chartam, IGZO TFTs ad ~40cm pervenire non expectatur2Mobilitate /V/s cogitationis in 240Hz 8K opus esse ostendimus.
Praedicta stabilitas postulatio provenit ex necessitate stabilis habendi Gallium limen pro praedictio operationis ostensionis, quae supra 0V est, sed non multum supra 0V ad obscurandum necessitatem potentiae esurientis summus amplitudinis annuit pellere. Quo firmior limen, eo minus necessaria est amplitudo iusta addito casu.
View more: IGBT modules | LCD propono | electronic lacinia