Gerbang bawah Transistor dibina dengan timbunan dua lapisan:
Di sebelah pintu silikon berpenebat oksida terdapat lapisan pengangkutan caj (CTL) yang terdiri daripada InSnZnO yang kaya dengan indium "menampilkan purata nombor penyelarasan berkesan yang besar untuk semua kation dan struktur perkongsian tepi yang banyak untuk menggalakkan mobiliti", menurut Akademi Cina Sains (CAS), di mana NMITE adalah sebahagian daripadanya. Membentuk separuh lagi dwi-lapisan ialah lapisan kelonggaran cas (CRL) yang diperbuat daripada InSnZnO berdop praseodymium, "yang boleh memendekkan hayat fotoelektron dengan ketara, memudahkan penstabilan tegasan pencahayaan bias negatif".
Kestabilan tegasan suhu bias positif digalakkan dengan menggunakan sekurang-kurangnya 20nm CTL mendapat keseragaman pemendapan kawasan yang besar.
Angka kestabilan ialah -1.64V untuk anjakan-tegasan-pencahayaan-bias-negatif dan +760mV untuk anjakan-tegasan-suhu-bias-positif.
"Strategi ini telah menyediakan laluan yang menjanjikan untuk menyelesaikan konflik kestabilan mobiliti untuk paparan mewah, mempromosikan penyelidikan dan pembangunan berkaitan TFT selanjutnya," menurut CAS.
NIMTEbekerja dengan Universiti Sun Yat-Sen.
Kerja ini diterangkan dalam 'Mengatasi konflik antara mobiliti dan kestabilan dalam transistor filem nipis oksida', diterbitkan dalam Sains Lanjutan, dan tersedia untuk dibaca sepenuhnya tanpa bayaran.
Menurut kertas ini, TFT IGZO tidak dijangka mencapai ~40cm2Mobiliti /V/s difikirkan diperlukan dalam paparan 240Hz 8K.
Keperluan kestabilan di atas datang daripada keperluan untuk mempunyai kandang Transistor ambang untuk operasi paparan boleh diramal, iaitu melebihi 0V, tetapi tidak melebihi 0V untuk meminimumkan keperluan untuk isyarat pemacu amplitud tinggi yang haus kuasa. Semakin stabil ambang, semakin kurang keperluan untuk amplitud just-in-case tambahan.
Lihat lagi: modul IGBT | Memaparkan LCD | Komponen Elektronik