Gerbang bawah Transistor dibangun dengan tumpukan dua lapisan:
Di sebelah gerbang silikon berinsulasi oksida terdapat lapisan pengangkut muatan (CTL) yang terdiri dari InSnZnO yang kaya akan indium “menampilkan angka koordinasi efektif rata-rata yang besar untuk semua kation dan struktur berbagi tepi yang melimpah untuk meningkatkan mobilitas”, menurut Chinese Academy of Sciences (CAS), di mana NMITE menjadi bagiannya. Membentuk separuh lainnya dari lapisan ganda adalah lapisan relaksasi muatan (CRL) yang terbuat dari InSnZnO yang didoping praseodymium, “yang secara signifikan dapat mempersingkat masa pakai fotoelektron, memfasilitasi stabilisasi tegangan iluminasi bias negatif”.
Stabilitas tekanan suhu bias positif didorong dengan menggunakan setidaknya 20nm CTL untuk mendapatkan keseragaman pengendapan area yang luas.
Angka stabilitas adalah -1.64V untuk pergeseran tekanan-bias-negatif-tegangan dan +760mV untuk pergeseran tekanan-suhu-bias-positif.
“Strategi ini telah memberikan rute yang menjanjikan untuk menyelesaikan konflik mobilitas-stabilitas untuk tampilan kelas atas, mempromosikan penelitian dan pengembangan terkait TFT lebih lanjut,” menurut CAS.
NIMTE bekerja dengan Universitas Sun Yat-Sen.
Karya tersebut dijelaskan dalam 'Mengatasi konflik antara mobilitas dan stabilitas dalam transistor film tipis oksida', diterbitkan dalam Advanced Science, dan tersedia untuk dibaca secara penuh tanpa pembayaran.
Menurut makalah ini, TFT IGZO diperkirakan tidak akan mencapai ~40cm2/V/s mobilitas dianggap diperlukan dalam tampilan 240Hz 8K.
Persyaratan stabilitas di atas berasal dari kebutuhan untuk memiliki kandang Transistor ambang batas untuk operasi tampilan yang dapat diprediksi, yaitu di atas 0V, tetapi tidak jauh di atas 0V untuk meminimalkan kebutuhan akan sinyal penggerak amplitudo tinggi yang haus daya. Semakin stabil ambangnya, semakin sedikit kebutuhan untuk tambahan amplitudo untuk berjaga-jaga.
Lihat lebih banyak: modul IGBT | Layar LCD | Komponen Elektronik