Il cancello inferiore Transistor è costruito con una pila di due strati:
Accanto al gate di silicio isolato con ossido c'è uno strato di trasporto di carica (CTL) costituito da InSnZnO ricco di indio "con grandi numeri di coordinazione efficaci medi per tutti i cationi e abbondanti strutture condivise sui bordi per promuovere la mobilità", secondo l'Accademia cinese di Sciences (CAS), di cui NMITE fa parte. A formare l'altra metà del doppio strato c'è uno strato di rilassamento della carica (CRL) fatto di InSnZnO drogato con praseodimio, "che può ridurre significativamente la durata del fotoelettrone, facilitando la stabilizzazione dello stress da illuminazione a polarizzazione negativa".
La stabilità dello stress termico con polarizzazione positiva è incoraggiata utilizzando almeno 20 nm di CTL per ottenere un'uniformità di deposizione su ampia area.
Le cifre di stabilità sono -1.64 V per lo spostamento di stress da illuminazione a polarizzazione negativa e +760 mV per lo spostamento di stress da temperatura a polarizzazione positiva.
"Questa strategia ha fornito una strada promettente per risolvere il conflitto tra mobilità e stabilità per i display di fascia alta, promuovendo l'ulteriore ricerca e sviluppo relativi a TFT", secondo CAS.
NIMTE ha collaborato con la Sun Yat-Sen University.
Il lavoro è descritto in "Affrontare il conflitto tra mobilità e stabilità nei transistor a film sottile di ossido", pubblicato su Advanced Science e disponibile per la lettura integrale senza pagamento.
Secondo questo documento, i TFT IGZO non dovrebbero raggiungere i ~40 cm2Mobilità /V/s ritenuta necessaria nei display 240K a 8 Hz.
Il suddetto requisito di stabilità deriva dalla necessità di avere una stalla Transistor soglia per il funzionamento prevedibile del display, che è superiore a 0 V, ma non molto superiore a 0 V per ridurre al minimo la necessità di segnali di pilotaggio ad alta ampiezza e assetati di energia. Più stabile è la soglia, minore è la necessità di ulteriore ampiezza just-in-case.
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