Bénéficiez d'une grande mobilité et d'une grande stabilité dans les écrans TFT de qualité d'affichage

Mise à jour : 11 août 2023
Bénéficiez d'une grande mobilité et d'une grande stabilité dans les écrans TFT de qualité d'affichage

La porte du bas Transistor est construit avec un empilement de deux couches :

À côté de la grille de silicium isolée à l'oxyde se trouve une couche de transport de charge (CTL) constituée d'InSnZnO riche en indium "présentant de grands nombres de coordination efficaces moyens pour tous les cations et d'abondantes structures partagées sur les bords pour favoriser la mobilité", selon l'Académie chinoise de Sciences (CAS), dont NMITE fait partie. L'autre moitié de la bicouche est formée d'une couche de relaxation de charge (CRL) en InSnZnO dopé au praséodyme, "qui peut raccourcir considérablement la durée de vie des photoélectrons, facilitant la stabilisation des contraintes d'éclairage à polarisation négative".

La stabilité des contraintes de température à polarisation positive est encouragée en utilisant au moins 20 nm de CTL avec une uniformité de dépôt sur une grande surface.

Les chiffres de stabilité sont de -1.64 V pour le décalage de contrainte d'éclairage de polarisation négative et de +760 mV pour le décalage de contrainte de température de polarisation positive.

"Cette stratégie a fourni une voie prometteuse pour résoudre le conflit mobilité-stabilité des écrans haut de gamme, favorisant la poursuite de la recherche et du développement liés au TFT", selon CAS.

NIMTE a travaillé avec l'Université Sun Yat-Sen.

Le travail est décrit dans "Addressing the conflict between mobility and Stability in oxide thin-film transistors", publié dans Advanced Science, et disponible en lecture intégrale sans paiement.

Selon cet article, les TFT IGZO ne devraient pas atteindre les ~ 40 cm2La mobilité /V/s est considérée comme nécessaire dans les écrans 240 Hz 8K.

L'exigence de stabilité ci-dessus vient de la nécessité d'avoir une stabilité Transistor seuil pour un fonctionnement d'affichage prévisible, qui est supérieur à 0 V, mais pas beaucoup au-dessus de 0 V pour minimiser le besoin de signaux de commande à haute amplitude gourmands en énergie. Plus le seuil est stable, moins il y a besoin d'amplitude supplémentaire juste au cas où.

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