Für diejenigen, die sich über die 67. jährliche IEDM informieren möchten, die vom 11. bis 15. Dezember 2021 im Hilton San Francisco Union Square Hotel unter dem Thema „Geräte für eine neue Ära der Elektronik: Von 2D-Materialien zu 3D-Architekturen“ stattfindet ” enthält diese Pressemitteilung Beschreibungen dieser Bildungsangebote.
Tutorials und Kurzkurse vermitteln den Teilnehmern das unschätzbare Wissen und die Informationen, die sie benötigen, um den Stand der Technik zu verbessern.
IEDM-Tutorials – Samstag, 11. Dezember
Die 12-minütigen Samstags-Tutorials zu neuen Technologien und Spezialthemen sind mittlerweile im 90. Jahr ein sehr beliebter Bestandteil des IEDM. Sie werden von Experten der jeweiligen Fachgebiete präsentiert, um die Lücke zwischen Lehrbuchwissen und aktueller Spitzenforschung zu schließen. Die Themen für 2021 sind:
2: 45 Uhr - 4: 15 pm
• Jenseits der FinFET-Ära: Herausforderungen und Chancen für CMOS Technologie, Kai Zhao, IBM
• TCAD-basiertes DTCO und STCO, Asen Asenov, University of Glasgow
• 6G-Technologieherausforderungen von Geräten bis hin zu drahtlosen Systemen, Aarno Pärssinen, Oulu
Universität
4: 30 Uhr - 6: 00 pm
• Selektive und atomare Prozesse für Fortgeschrittene Halbleiter Herstellung, Robert Clark, TEL
• Maschinelles Lernen für Halbleiter Gerät und Schaltung Modellierung, Elyse Rosenbaum, University of Illinois, Urbana-Champaign
• GaN-Power-Device-Technologie und -Zuverlässigkeit, Dong Seup Lee, Texas Instruments
IEDM-Kurzkurse – Sonntag, 12. Dezember
Im Gegensatz zu den Tutorials konzentrieren sich die ganztägigen IEDM Sunday Short Courses auf ein einziges technisches Thema. Eine frühzeitige Anmeldung wird empfohlen, da diese oft ausverkauft sind. Sie bieten die Möglichkeit, wichtige Bereiche und Entwicklungen kennenzulernen und sich mit globalen Experten zu vernetzen.
• Future Scaling and Integration Technology, organisiert von Dechao Guo, IBM Research
o Innovationen in der Verfahrens- und Werkstofftechnik für die fortgeschrittene Skalierung von Logiktransistoren,
Benjamin Colombeau, Angewandte Materialien
o Verbindungswiderstand: Neue Materialien, Daniel Gall, Rensselaer Polytechnic Institute
o Messtechnik und Materialcharakterisierung für das Zeitalter der 3D-Logik und des Speichers, Roy Koret,
Nova Ltd.
o Jenseits von FinFET-Bauelementen: GAA, CFET, 2D-Material-FET, Chung-Hsun Lin, Intel o Heterogene Integration mit Chiplets & Advanced Packaging, Madhavan
Swaminathan, Georgia Tech
o Design-Technologie Co-Optimierung/System-Technologie Co-Optimierung, Victor Moroz,
Synopsys
• Emerging Technologies for Low-Power Edge Computing, organisiert von Huaqiang Wu, Tsinghua University und John Paul Strachan, Forschungszentrum Jülich
o Mobile NPUs für intelligente Mensch-Computer-Interaktion, Hoi-Jun Yoo, KAIST
o Gehirn-inspirierte Strategien zur Optimierung des Designs neuromorpher sensorischer Verarbeitung
Systems, Giacomo Indiveri, Universität Zürich
o Speicherbasierte KI- und Datenanalyselösungen, Euicheol Lim, SK hynix
o Materialstrategien für Memristor-basierte KI-Hardware und deren Heterointegration,
Jeehwan Kim, MIT
o RRAM-Geräte für Datenspeicherung und In-Memory-Computing, Wei Lu, University of
o Praktische Implementierung von Wireless Power Transfer, Hubregt Visser, IMEC
• Es wird wieder eine Händlerausstellung stattfinden. Weitere Informationen zu IEDM
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