67年11月15〜2021日にヒルトンサンフランシスコユニオンスクエアホテルで「エレクトロニクスの新時代のデバイス：2Dマテリアルから3Dアーキテクチャへ」というテーマで予定されている、第XNUMX回IEDMについて学びたい人のために。 、」このニュースリリースは、これらの教育サービスの説明を提供します。
チュートリアルとショートコースは、参加者に最先端の技術を進歩させるために必要な貴重な知識と情報を提供します。
IEDMチュートリアル– 11月XNUMX日土曜日
今年で12年目になり、新しいテクノロジーと専門的なトピックに関する90分の土曜日のチュートリアルセッションがIEDMの非常に人気のある部分になりました。 それらは、教科書レベルの知識と最先端の現在の研究との間のギャップを埋めることを目的として、それぞれの分野の専門家によって提示されます。 2021年のトピックは次のとおりです。
2：45 pm - 4：15 pm
• FinFET 時代を超えて: CMOS の課題と機会 テクノロジー、カイ・ジャオ、IBM
•TCADベースのDTCOおよびSTCO、グラスゴー大学、アセンアセノフ
•デバイスからワイヤレスシステムまでの6Gテクノロジーの課題、アールノペルシネン、オウル
大学
4：30 pm - 6：00 pm
•高度な選択的で原子規模のプロセス 半導体 製造、ロバートクラーク、TEL
• のための機械学習 半導体 デバイスと 回路 モデリング、Elyse Rosenbaum、イリノイ大学アーバナシャンペーン校
•GaNパワーデバイスの技術と信頼性、Dong Seup Lee、テキサスインスツルメンツ
IEDMショートコース– 12月XNUMX日日曜日
チュートリアルとは対照的に、終日のIEDMサンデーショートコースは、単一の技術トピックに焦点を当てています。 売り切れの場合が多いため、早めの登録をお勧めします。 彼らは重要な分野や開発について学び、グローバルな専門家とネットワークを築く機会を提供します。
•IBMResearchのDechaoGuoが主催するFutureScaling and Integration Technology
o高度なロジックトランジスタスケーリングのためのプロセスと材料工学の革新、
ベンジャミンコロンボー、アプライドマテリアルズ
o相互接続抵抗率：新素材、ダニエルゴール、レンセラー工科大学
o 3Dロジックとメモリの時代の計測と材料の特性評価、Roy Koret、
ノヴァ株式会社
o FinFETデバイスを超えて：GAA、CFET、2DマテリアルFET、Chung-Hsun Lin、Intel oチップレットと高度なパッケージングを使用した異種統合、Madhavan
ジョージア工科大学スワミナサン
o設計-技術の共同最適化/システム-技術の共同最適化、Victor Moroz、
シノプシス
•清華大学のHuaqiangWuとForschungszentrumJülichのJohnPaulStrachanが主催する低電力エッジコンピューティングの新興技術
oインテリジェントな人間とコンピューターの相互作用のためのモバイルNPU、ホイジュンユ、KAIST
oニューロモルフィック感覚処理の設計を最適化するための脳に触発された戦略
Systems、Giacomo Indiveri、チューリッヒ大学
oメモリベースのAIおよびデータ分析ソリューション、Euicheol Lim、SK hynix
oメモリスタベースのAIハードウェアとそのヘテロ統合のためのマテリアル戦略、
キム・ジーファン、MIT
oデータストレージおよびインメモリコンピューティング用のRRAMデバイス、Wei Lu、大学
oワイヤレス電力伝送、Hubregt Visser、IMECの実用的な実装
•ベンダー展示会が再び開催されます。 IEDMに関する詳細情報
登録およびその他の情報については、www.ieee-iedm.orgにアクセスしてください。
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