Pour ceux qui souhaitent se familiariser avec le 67e IEDM annuel, prévu du 11 au 15 décembre 2021 à l'hôtel Hilton San Francisco Union Square sous le thème « Devices for a New Era of Electronics : From 2D Materials to 3D Architectures », ce communiqué de presse fournit des descriptions de ces offres éducatives.
Des tutoriels et des cours de courte durée fourniront aux participants les connaissances et les informations inestimables nécessaires pour faire progresser l'état de l'art.
Tutoriels IEDM – Samedi 11 décembre
Maintenant dans leur 12e année, les séances de didacticiel de 90 minutes du samedi sur les technologies émergentes et les sujets spécialisés sont devenues une partie extrêmement populaire de l'IEDM. Ils sont présentés par des experts dans les domaines respectifs, l'objectif étant de combler le fossé entre les connaissances au niveau des manuels et la recherche actuelle de pointe. Les thèmes pour 2021 sont :
2h45 - 4h15
• Au-delà de l'ère FinFET : défis et opportunités pour le CMOS Technologie, Kai Zhao, IBM
• DTCO et STCO basés sur TCAD, Asen Asenov, Université de Glasgow
• Défis technologiques 6G des appareils aux systèmes sans fil, Aarno Pärssinen, Oulu
Université
4h30 - 6h00
• Processus sélectifs et à l'échelle atomique pour les avancés Semi-conducteurs Fabrication, Robert Clark, TEL
• Apprentissage automatique pour Semi-conducteurs Appareil et circuit Modélisation, Elyse Rosenbaum, Université de l'Illinois, Urbana-Champaign
• Technologie et fiabilité des dispositifs d'alimentation GaN, Dong Seup Lee, Texas Instruments
Cours abrégés IEDM – dimanche 12 décembre
Contrairement aux didacticiels, les cours abrégés du dimanche IEDM d'une journée sont axés sur un seul sujet technique. Il est recommandé de s'inscrire tôt, car ils sont souvent complets. Ils offrent l'opportunité d'en apprendre davantage sur des domaines et développements importants, et de réseauter avec des experts mondiaux.
• Future Scaling and Integration Technology, organisé par Decao Guo, IBM Research
o Innovations en génie des procédés et des matériaux pour la mise à l'échelle avancée des transistors logiques,
Benjamin Colombeau, Matériaux appliqués
o Résistivité d'interconnexion : nouveaux matériaux, Daniel Gall, Rensselaer Polytechnic Institute
o Métrologie et caractérisation des matériaux à l'ère de la logique et de la mémoire 3D, Roy Koret,
Nova Ltd.
o Au-delà des dispositifs FinFET : GAA, CFET, FET de matériaux 2D, Chung-Hsun Lin, Intel o Intégration hétérogène utilisant des puces et un emballage avancé, Madhavan
Swaminathan, Géorgie Tech
o Co-Optimisation Design-Technologie/Co-Optimisation Système-Technologie, Victor Moroz,
Synopsys
• Emerging Technologies for Low-Power Edge Computing, organisé par Huaqiang Wu, Tsinghua University et John Paul Strachan, Forschungszentrum Jülich
o NPU mobiles pour l'interaction homme/ordinateur intelligente, Hoi-Jun Yoo, KAIST
o Stratégies inspirées du cerveau pour optimiser la conception du traitement sensoriel neuromorphique
Systèmes, Giacomo Indiveri, Université de Zurich
o Solutions d'IA et d'analyse de données basées sur la mémoire, Euicheol Lim, SK hynix
o Stratégies matérielles pour le matériel d'IA à base de Memristor et leur hétérointégration,
Jeehwan Kim, MIT
o Dispositifs RRAM pour le stockage de données et l'informatique en mémoire, Wei Lu, Université de
o Mise en œuvre pratique du transfert d'énergie sans fil, Hubregt Visser, IMEC
• Une exposition de vendeurs aura lieu à nouveau. Plus d'informations sur l'IEDM
Pour l'inscription et d'autres informations, visitez www.ieee-iedm.org.
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