#BSM50GD120DN2G Infineon BSM50GD120DN2G Neu 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Module 1200V 50A 3-PHASE, BSM50GD120DN2G Bilder, BSM50GD120DN2G Preis, #BSM50GD120DN2G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Sechskant
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 78 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 200 k.A
Pd - Verlustleistung: 400 W
Paket / Fall: EconoPACK 3A
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Maximaler Gate-Emitter Spannung: 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Factory Pack Menge: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; IGBT-Module 1200V 50A 3-PHASE
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