#BSM50GD120DN2G Infineon BSM50GD120DN2G Mới 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Mô-đun 1200V 50A 3-PHASE, hình ảnh BSM50GD120DN2G, giá BSM50GD120DN2G, nhà cung cấp # BSM50GD120DN2G
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nhà chế tạo: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm: IGBT Modules
RoHS: Không
Nhãn hiệu: Công nghệ Infineon
Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: Các 78
Cổng rò rỉ hiện tại: 200nA
Pd - Tiêu tán công suất: 400 W
Gói / Vỏ: GÓI tiết kiệm 3A
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150c
Bộ phát cổng tối đa Vôn: 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Gắn Kiểu: Đinh ốc
Số lượng nhà máy sản xuất: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; Mô-đun IGBT 1200V 50A 3-PHASE
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM50GD120DN2G trước khi xuất xưởng, tất cả BSM50GD120DN2G với bảo hành 6 tháng.