#BSM50GD120DN2G Infineon BSM50GD120DN2G Nouveau 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE, images BSM50GD120DN2G, prix BSM50GD120DN2G, fournisseur #BSM50GD120DN2G
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 78
Courant de fuite porte-émetteur: 200 na
Pd - Dissipation de puissance: 400 W
Paquet / Cas: ÉconoPACK 3A
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Émetteur de porte maximum Tension: 20 V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; Modules IGBT 1200V 50A 3 PHASE
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