#BSM50GD120DN2G Infineon BSM50GD120DN2G ใหม่ 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT โมดูล 1200V 50A 3-PHASE, รูปภาพ BSM50GD120DN2G, ราคา BSM50GD120DN2G, ผู้จัดจำหน่าย #BSM50GD120DN2G
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล
RoHS: ไม่
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: แม่มด
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: V 2.5
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 78
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 200 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 400
แพ็คเกจ / เคส: อีโคโนแพ็ค 3A
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 องศาเซลเซียส
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: V 20
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; โมดูล IGBT 1200V 50A 3 เฟส
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM50GD120DN2G ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM50GD120DN2G ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน