#БСМ50ГД120ДН2Г Infineon BSM50GD120DN2G Новый 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Модули 1200V 50A 3-PHASE, изображения BSM50GD120DN2G, цена BSM50GD120DN2G, # BSM50GD120DN2G поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: Нет
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Hex
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 78
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 400 W
Пакет / Дело: ЭконоПАК 3А
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Максимальный излучатель затвора напряжение: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
50А / 1200В / IGBT / 6U; Модули IGBT 1200V 50A 3-PHASE
Shunlongwei проверил все BSM50GD120DN2G перед отправкой, все BSM50GD120DN2G с 6-месячной гарантией.