#BSM50GD120DN2G Infineon BSM50GD120DN2G Nuevo 50A / 1200V /IGBT/ 6U; IGBT Módulos 1200V 50A trifásico, imágenes BSM3GD50DN120G, precio BSM2GD50DN120G, proveedor # BSM2GD50DN120G
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
RoHS: No
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 78 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 na
Pd - Disipación de energía: 400 W
Paquete / Estuche: EconoPACK 3A
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Emisor de puerta máximo voltaje: 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; Módulos IGBT 1200V 50A 3-PHASE
Shunlongwei inspeccionó todos los BSM50GD120DN2G antes del envío, todos los BSM50GD120DN2G con 6 meses de garantía.