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Teilenummer: FP15R12KE3
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung (VCEO) Max: 1600 V
Dauerkollektorstrom bei 25 °C: 25 A
Kontinuierlicher Kollektorstrom am Gleichrichterausgang (IRMSmax): 36 A
Maximale Betriebstemperatur: +125 °C
Paket/Gehäuse: EASY2
Marke: Infineon Technologies
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Gesamtverlustleistung bei TC=25°C (Ptot): 89 W
Mindestbetriebstemperatur: -40 °C
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 20
Beschreibung: IGBT Module, N-Kanal, 1.2 kV, 27 A; 15 A/1200 V/PIM
Der FP15R12KE3 ist ein IGBT Modulen hergestellt von Infineon. Es ist Teil der Produktkategorie IGBT-Siliziummodule. Das Modul verfügt über eine Hex-Konfiguration und eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von 1600 V. Es kann einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 25 A bei 25 °C und 36 A am Gleichrichterausgang aushalten. Das Modul hat eine maximale Betriebstemperatur von +125 °C und ist in einem EASY2-Gehäuse verpackt.
Infineon Technologies ist die Marke hinter diesem Produkt, das für seine hohe Qualität bekannt ist Halbleiter Lösungen. Das FP15R12KE3-Modul hat eine maximale Gate-Emitter-Spannung von +/- 20 V und eine Gesamtverlustleistung (Ptot) von 89 W bei TC=25 °C. Es kann in einem weiten Temperaturbereich betrieben werden, mit einer minimalen Betriebstemperatur von -40 °C.
Das Modul ist für die Montage mit Schrauben konzipiert und wird ab Werk in einer Packungsmenge von 20 Stück geliefert. Es eignet sich für verschiedene Anwendungen, die N-Kanal-IGBT-Module mit einer Nennspannung von 1.2 kV und Nennströmen von 27 A und 15 A bei 1200 erfordern V- und PIM-Spezifikationen.
Bitte beachten Sie, dass die zusätzlichen Informationen, die Sie zum Infineon FP15R12KE3G bereitgestellt haben, offenbar nichts mit dem beschriebenen IGBT-Modul zu tun haben.