部品番号: FP15R12KE3
メーカー：インフィニオン
製品カテゴリ： IGBT モジュール
製品： IGBT シリコンモジュール
構成：XNUMX進数
コレクター-エミッター 電圧 (VCEO) 最大: 1600 V
25℃での連続コレクタ電流: 25 A
整流器出力での連続コレクタ電流 (IRMSmax): 36 A
最大動作温度: +125°C
パッケージ/ケース: EASY2
ブランド：インフィニオンテクノロジーズ
最大ゲートエミッター 電圧：+/- 20 V
TC=25°Cでの総消費電力(Ptot): 89 W
最低動作温度: -40°C
取り付けスタイル：ネジ
ファクトリーパック数量：20
説明: IGBT モジュール、N チャンネル、1.2 kV、27 A; 15A/1200V/PIM
FP15R12KE3はIGBTです。 モジュール インフィニオン社製。 これは、IGBT シリコン モジュール製品カテゴリの一部です。 このモジュールは 1600 進構成で、最大コレクタ エミッタ電圧 (VCEO) は 25 V です。25°C で 36 A、整流器出力で 125 A の連続コレクタ電流を維持できます。 モジュールの最大動作温度は +2°C で、EASYXNUMX ケースにパッケージされています。
Infineon Technologies はこの製品のブランドであり、高品質で知られています。 半導体 ソリューション。 FP15R12KE3 モジュールの最大ゲート-エミッタ間電圧は +/- 20 V、総電力損失 (Ptot) は TC=89°C で 25 W です。 幅広い温度範囲で動作でき、最低動作温度は-40°Cです。
このモジュールはネジを使用して取り付けられるように設計されており、工場出荷時の梱包数量は 20 個です。定格電圧 1.2 kV、電流定格 27 A および 15 で 1200 A の N チャネル IGBT モジュールを必要とするさまざまなアプリケーションに適しています。 VおよびPIM仕様。
Infineon FP15R12KE3G に関して提供された追加情報は、説明されている IGBT モジュールとは無関係であるようですのでご注意ください。