דוא"ל מכירה: sales@shunlongwei.com
מספר חלק: FP15R12KE3
יצרן: אינפיניאון
קטגוריית מוצר: IGBT מודולים
מוצר: IGBT מודולי סיליקון
תצורה: Hex
אספן-פולט מתח (VCEO) מקסימום: 1600 וולט
זרם קולט רציף ב-25°C: 25A
זרם אספן רציף בתפוקת מיישר (IRMSmax): 36 A
טמפרטורת עבודה מקסימלית: +125 מעלות צלזיוס
חבילה/מארז: EASY2
מותג: אינפיניון טכנולוגיות
פולט שער מקסימאלי מתח: +/- 20 וולט
פיזור הספק כולל ב-TC=25°C (Ptot): 89 W
טמפרטורת עבודה מינימלית: -40 מעלות צלזיוס
סגנון הרכבה: בורג
כמות מארז מפעל: 20
תיאור: IGBT מודולים, N-Channel, 1.2 קילו וולט, 27 A; 15 A/1200V/PIM
ה-FP15R12KE3 הוא IGBT מודול מיוצר על ידי Infineon. זה חלק מקטגוריית המוצרים של IGBT Silicon Modules. המודול כולל תצורת hex ויש לו מתח קולט-פולט מרבי (VCEO) של 1600 V. הוא יכול להחזיק זרם אספן רציף של 25 A ב-25°C ו-36 A במוצא המיישר. למודול טמפרטורת פעולה מקסימלית של +125 מעלות צלזיוס והוא ארוז במארז EASY2.
Infineon Technologies הוא המותג מאחורי המוצר הזה, הידוע באיכותו הגבוהה סמיקונדקטור פתרונות. למודול FP15R12KE3 יש מתח פולט שער מרבי של +/- 20 וולט ופיזור הספק כולל (Ptot) של 89 וואט ב-TC=25°C. זה יכול לפעול בטווח טמפרטורות רחב, עם טמפרטורת עבודה מינימלית של -40 מעלות צלזיוס.
המודול מיועד להרכבה באמצעות ברגים ומגיע באריזת היצרן של 20. הוא מתאים ליישומים שונים הדורשים מודולי IGBT N-channel עם דירוג מתח של 1.2 קילו וולט ודירוג זרם של 27 A ו-15 A ב-1200 מפרטי V ו-PIM.
לידיעתך, נראה שהמידע הנוסף שסיפקת לגבי Infineon FP15R12KE3G אינו קשור למודול ה-IGBT המתואר.