Email Penjualan： sales@shunlongwei.com
Nomor Bagian: FP15R12KE3
Produsen: Infineon
Kategori Produk: IGBT Modul
Produk: IGBT Modul Silikon
Konfigurasi: Hex
Kolektor-Emitor tegangan (VCEO) Maks: 1600 V
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25°C: 25 A
Arus Kolektor Berkelanjutan pada Keluaran Penyearah (IRMSmax): 36 A
Suhu Operasional Maksimum: +125°C
Paket/Kasus: MUDAH2
Merek: Infineon Technologies
Emitor Gerbang Maksimum tegangan: +/- 20V
Pembuangan Daya Total pada TC=25°C (Ptot): 89 W
Suhu Operasional Minimum: -40°C
Gaya Pemasangan: Sekrup
Jumlah Paket Pabrik: 20
Deskripsi: IGBT Modul, Saluran-N, 1.2 kV, 27 A; 15A/1200V/PIM
FP15R12KE3 adalah IGBT modul diproduksi oleh Infineon. Ini adalah bagian dari kategori produk Modul Silikon IGBT. Modul ini memiliki konfigurasi hex dan memiliki tegangan kolektor-emitor maksimum (VCEO) sebesar 1600 V. Modul ini dapat mempertahankan arus kolektor kontinu sebesar 25 A pada 25°C dan 36 A pada keluaran penyearah. Modul ini memiliki suhu pengoperasian maksimum +125°C dan dikemas dalam wadah EASY2.
Infineon Technologies adalah merek di balik produk ini, yang dikenal dengan kualitasnya yang tinggi Semikonduktor solusi. Modul FP15R12KE3 memiliki tegangan gerbang-emitor maksimum +/- 20 V dan disipasi daya total (Ptot) 89 W pada TC=25°C. Itu dapat beroperasi dalam rentang suhu yang luas, dengan suhu operasi minimum -40°C.
Modul ini dirancang untuk dipasang menggunakan sekrup dan tersedia dalam jumlah paket pabrik 20. Cocok untuk berbagai aplikasi yang memerlukan modul IGBT saluran-N dengan peringkat tegangan 1.2 kV dan peringkat arus 27 A dan 15 A pada 1200 Spesifikasi V dan PIM.
Perlu diketahui bahwa informasi tambahan yang Anda berikan terkait Infineon FP15R12KE3G tampaknya tidak terkait dengan modul IGBT yang dijelaskan.