Sales Email： sales@shunlongwei.com
Part Number: FP15R12KE3
Manufacturer: Infineon
Uber Numerus: IGBT Modules
Product: IGBT Pii Modules
Configurationis: Hex
Collector-Emitte voltage (VCEO) Max: 1600 V
Continuus Collector Current ad 25°C: 25 A
Continua Collector Current ad Rectifier Output (IRMSmax): 36 A
Maximum Operating Temperature: CXXV°C
Sarcina / Casus: Easy2
Brand: Infineon Technologies
Maximum Porta Emitte voltage: +/- 20 V
Totalis Power dissipatio at TC=25°C (Ptot): 89 W
Minimum Operating Temperature: -40°C
Adscendens Style: stupra
Factory Pack Price: XXIV
Description: IGBT Modules, N-Channel, 1.2 kv, 27 A; 15 A/1200V/PIM
FP15R12KE3 est IGBT Module confici ab Infineon. IGBT Silicon Moduli producti categoriae est pars. Moduli lineamenta hex schematismi et maximam voltationem collectoris emittentium 1600 (VCEO) habet MDC V. Sustinere potest continuum collector currenti 25 A ad 25°C et 36 A ad rectificatorem output. Modulus maximam temperaturam operating +125°C habet et in casu facili sarcinam habet.
Infineon Technologiae notam post hoc productum est, nota pro qualitate sua Gallium solutiones. Modulus FP15R12KE3 maximam habet voltationem portae-emissae of +/- 20 V et summam potentiam dissipationis (Ptot) 89 W ad TC=25°C. Operari potest in spatio lato temperatus, cum minimum temperatura operating -40°C.
Modulus designatus est ut cochleis utens conscendatur et in quantitatis sarcinae officinam veniat 20. Apta est ad varias applicationes quae moduli IGBT N-alvei requirunt cum voltage rating de 1.2 kV et currentium aestimationes 27 A et 15 A ad 1200 V ET PIM NEC .
Nota quaeso informationis informationis quas de Infineon FP15R12KE3G comparasti, ab IGBT moduli descriptae affinis esse videtur.