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Número de parte: FP15R12KE3
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
Producto: IGBT Módulos de silicio
Configuración: Hexagonal
Colector-Emisor voltaje (VCEO) Máx.: 1600 V
Corriente de Colector Continua a 25°C: 25 A
Corriente continua del colector en la salida del rectificador (IRMSmax): 36 A
Temperatura máxima de funcionamiento: +125 °C
Paquete/Estuche: EASY2
Marca: Infineon Technologies
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20V
Disipación de potencia total a TC=25°C (Ptot): 89 W
Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
Estilo de montaje: tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 20
Descripción: IGBT Módulos, Canal N, 1.2 kV, 27 A; 15A/1200V/PIM
El FP15R12KE3 es un IGBT módulo fabricado por Infineon. Es parte de la categoría de productos IGBT Silicon Modules. El módulo presenta una configuración hexagonal y tiene un voltaje máximo colector-emisor (VCEO) de 1600 V. Puede sostener una corriente de colector continua de 25 A a 25 °C y 36 A en la salida del rectificador. El módulo tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +125°C y está empaquetado en un estuche EASY2.
Infineon Technologies es la marca detrás de este producto, conocido por su alta calidad Semiconductores soluciones El módulo FP15R12KE3 tiene una tensión puerta-emisor máxima de +/- 20 V y una disipación de potencia total (Ptot) de 89 W a TC=25°C. Puede operar en un amplio rango de temperatura, con una temperatura mínima de operación de -40°C.
El módulo está diseñado para montarse con tornillos y viene en un paquete de fábrica de 20 unidades. Es adecuado para diversas aplicaciones que requieren módulos IGBT de canal N con una tensión nominal de 1.2 kV y una corriente nominal de 27 A y 15 A a 1200 Especificaciones V y PIM.
Tenga en cuenta que la información adicional que proporcionó sobre Infineon FP15R12KE3G parece no estar relacionada con el módulo IGBT descrito.